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BUV21中文资料

BUV21图片

BUV21外观图

  • 大小：122.75KB
  • 厂家：ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
  • 描述：Silicon NPN Power Transistors
  • 制造商：ON Semiconductor
  • 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性：NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：200 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO：7 V
  • 最大直流电集电极电流：40 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min：20
  • 配置：Single
  • 最大工作频率：8 MHz
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-204-2 (TO-3)
  • 封装：Tray
  • 集电极连续电流：40 A
  • 最小工作温度：- 65 C
  • 功率耗散：250 W
  • 工厂包装数量：100

BUV21供应商

更新时间:2022-12-31 03:17:37
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